Samsung создает новую память с высокой пропускной способностью и низким энергопотреблением

Samsung Electronics объявила о разработке новой памяти Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает высокой пропускной способностью, низким энергопотреблением и малой задержкой. Об этом сообщает онлайн-издание 3DNews.

Компания предлагает использовать данную память в первую очередь в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя она также может быть полезна и для других рабочих нагрузок, включая клиентские.

LLW DRAM от Samsung имеет пропускную способность до 128 Гбайт/с на модуль или стэк, что соответствует скорости передачи данных DDR5-8000. Кроме того, компания сообщила, что энергопотребление этой памяти составляет всего 1,2 пДж/бит, что является одним из самых низких значений среди существующих типов памяти.